در مقایسه با نسل قبلی، DRAM جدید سامسونگ با کلاس 12 نانومتری DDR5 مصرف انرژی را تا 23 درصد کاهش می‌دهد در حالی که بهره‌وری ویفر را تا 20 درصد افزایش می‌دهد. راندمان انرژی فوق العاده آن را به راه حل ایده آل برای شرکت های جهانی فناوری اطلاعات تبدیل می کند که می خواهند مصرف انرژی و ردپای کربن سرورها و مراکز داده خود را کاهش دهند.
جویونگ لی، معاون اجرایی محصول و فناوری DRAM در Samsung Electronics گفت: «با استفاده از فناوری فرآیند متمایز، DRAM DDR5 12 نانومتری پیشرو در صنعت سامسونگ، عملکرد فوق‌العاده و کارایی انرژی را ارائه می‌دهد. “آخرین DRAM ما نشان دهنده تعهد مداوم ما به رهبری بازار DRAM است، نه تنها با محصولات با کارایی بالا و ظرفیت بالا که نیاز بازار محاسباتی را برای پردازش در مقیاس بزرگ برآورده می کند، بلکه با تجاری سازی راه حل های نسل بعدی که از بهره وری بیشتر پشتیبانی می کنند.”
جدیدترین DRAM سامسونگ محاسبات نسل بعدی از جمله برنامه های هوش مصنوعی را با بهره وری و بهره وری بیشتر بهینه می کند.
توسعه فناوری فرآیند کلاس 12 نانومتری سامسونگ به لطف استفاده از یک ماده جدید با κ بالا که به افزایش ظرفیت سلولی کمک می کند، امکان پذیر شد. ظرفیت خازنی بالا منجر به اختلاف پتانسیل الکتریکی قابل توجهی در سیگنال های داده می شود که تشخیص دقیق آنها را آسان تر می کند. تلاش های این شرکت برای کاهش ولتاژ کاری و کاهش نویز نیز به ارائه راه حل بهینه ای که مشتریان نیاز دارند کمک کرده است.
با حداکثر سرعت 7.2 گیگابیت در ثانیه (گیگابیت بر ثانیه) – که به سرعتی تبدیل می شود که می تواند دو فیلم 30 گیگابایتی UHD را در حدود یک ثانیه پردازش کند – مجموعه DRAM کلاس 12 نانومتری سامسونگ از لیست رو به رشدی از برنامه ها از جمله مراکز داده، هوش مصنوعی و … پشتیبانی می کند. محاسبات نسل بعدی
سامسونگ در دسامبر گذشته ارزیابی DRAM 16 گیگابیتی DDR5 خود را برای سازگاری با AMD تکمیل کرد و به همکاری با شرکت های جهانی فناوری اطلاعات برای ایجاد نوآوری در بازار نسل بعدی DRAM ادامه می دهد.
[ad_2]
منبع
Samsung Electronics، پیشرو جهانی در فناوری حافظه پیشرفته، امروز اعلام کرد که DRAM 16 گیگابیتی (Gb) DDR5 آن، که از پیشرفته‌ترین فناوری فرآیند کلاس 12 نانومتری (nm) صنعت استفاده می‌کند، تولید انبوه خود را آغاز کرده است. تکمیل پیشرفته ترین فرآیند تولید توسط سامسونگ، رهبری آن را در فناوری پیشرفته DRAM مجدداً تأیید می کند.
