انتظار میرود نسل هشتم V-NAND به عنوان سنگ بنای پیکربندیهای ذخیرهسازی عمل کند که به افزایش ظرفیت ذخیرهسازی در سرورهای سازمانی نسل بعدی کمک میکند، در حالی که استفاده از آن را در بازار خودرو گسترش میدهد، جایی که قابلیت اطمینان بهویژه حیاتی است.
سامسونگ توانست با افزایش قابل توجه بهره وری بیت در هر ویفر، به بالاترین تراکم بیت در صنعت دست یابد. بر اساس رابط Toggle DDR 5.0* – آخرین استاندارد فلش NAND – نسل هشتم V-NAND سامسونگ دارای سرعت ورودی و خروجی (I/O) تا 2.4 گیگابیت در ثانیه (Gbps) است که نسبت به نسل قبلی 1.2 برابر افزایش یافته است. این امر V-NAND جدید را قادر میسازد تا الزامات عملکرد PCIe 4.0 و بعداً PCIe 5.0 را برآورده کند.
از آنجایی که تقاضای بازار برای ذخیره سازی متراکم تر و با ظرفیت بیشتر باعث افزایش تعداد لایه های V-NAND می شود، سامسونگ فناوری پیشرفته مقیاس بندی سه بعدی خود را برای کاهش سطح و ارتفاع به کار گرفته است، در حالی که از تداخل سلول به سلول که معمولاً با کوچک شدن رخ می دهد جلوگیری می کند. SungHoi Hur، معاون اجرایی محصولات و فناوری فلش در Samsung Electronics گفت. نسل هشتم V-NAND ما به پاسخگویی سریع به تقاضای رو به رشد بازار و موقعیت بهتر ما برای ارائه محصولات و راهحلهای متفاوتتر کمک میکند، که اساس نوآوریهای ذخیرهسازی آینده خواهد بود.
Samsung Electronics، رهبر جهان در فناوری حافظه پیشرفته، همانطور که در اجلاس Flash Memory 2022 و Samsung Memory Tech Day 2022 وعده داده بود، امروز اعلام کرد که تولید انبوه نسل هشتم سلول سه سطحی (TLC) 1 ترابیتی (Tb) را آغاز کرده است. NAND عمودی (V-NAND) با بالاترین تراکم بیت در صنعت. با 1 ترابایت، V-NAND جدید همچنین دارای بالاترین ظرفیت ذخیره سازی تا به امروز است که فضای ذخیره سازی بزرگ تری را در سیستم های سرور سازمانی نسل بعدی در سراسر جهان فراهم می کند.
